晶(jing)圓(yuan)(yuan)（wafer） 是(shi)制(zhi)(zhi)造半(ban)導體器件的(de)基礎(chu)性原材(cai)料。高純度的(de)半(ban)導體經過拉晶(jing)、切片等工(gong)(gong)序制(zhi)(zhi)備成為(wei)(wei)晶(jing)圓(yuan)(yuan)，晶(jing)圓(yuan)(yuan)經過一系列半(ban)導體制(zhi)(zhi)造工(gong)(gong)藝形(xing)成極(ji)微小(xiao)的(de)電(dian)路(lu)結構(gou)，再經切割、封裝、測試成為(wei)(wei)芯片，廣泛應用(yong)到(dao)各(ge)類電(dian)子(zi)設備當(dang)(dang)中。 晶(jing)圓(yuan)(yuan)材(cai)料經歷(li)了 60 余年的(de)技術(shu)演進和產業發展，形(xing)成了當(dang)(dang)今以硅為(wei)(wei)主、新(xin)型(xing)半(ban)導體材(cai)料為(wei)(wei)補充的(de)產業局面。

據(ju)悉(xi)：全世界80%的(de)手機(ji)和(he)(he)電腦由(you)中(zhong)(zhong)國生產。中(zhong)(zhong)國的(de)高(gao)性能芯(xin)(xin)片(pian)95%依靠進口，于是中(zhong)(zhong)國每年(nian)要(yao)花費2200億美元去進口芯(xin)(xin)片(pian)，該數額(e)為中(zhong)(zhong)國全年(nian)石油(you)進口額(e)的(de)2倍。所有(you)與(yu)光刻機(ji)和(he)(he)芯(xin)(xin)片(pian)生產相關的(de)設(she)備和(he)(he)材料也受到封鎖，比如晶圓片(pian)、高(gao)純金屬、刻蝕機(ji)等等。

今天，就讓小編好好科普一下關于晶圓(yuan)機UV光擦除原理吧(ba)！這樣我(wo)們(men)才能(neng)更加深(shen)入(ru)了解晶圓(yuan)機的(de)構造，也能(neng)幫助大家理解晶圓(yuan)機光擦除技術(shu)是如何發展進步的(de)！

UV擦寫原理?

在(zai)數據(ju)寫入時，需要(yao)通過(guo)給(gei)柵(zha)極加上高電壓 VPP ，如下圖所示，向浮置柵(zha)注入電荷(he)。注人后的(de)電荷(he)由于不(bu)具(ju)備穿透硅氧(yang)化膜能壁的(de)能量，因而只能維持(chi)現狀，所以我們必須給(gei)予(yu)電荷(he)一定的(de)能量！而這時候就(jiu)需要(yao)用(yong)到紫外線(xian)了。

當浮(fu)置(zhi)柵接(jie)收到紫外線(xian)的(de)照射，浮(fu)置(zhi)柵中的(de)電(dian)子接(jie)收了紫外線(xian)光量子的(de)能(neng)量，則電(dian)子變成(cheng)具有(you)穿透(tou)硅氧化膜能(neng)壁能(neng)量的(de)熱電(dian)子。如圖 所(suo)示，熱電(dian)子穿透(tou)硅氧化膜，流向(xiang)基板和柵極，恢復(fu)為擦除狀態。擦除操作，只能(neng)通過接(jie)收紫外線(xian)的(de)照射來進(jin)行(xing)，而(er)不能(neng)進(jin)行(xing)電(dian)子擦除。也(ye)就是說，只能(neng)夠進(jin)行(xing)由 “ 1 ” 向(xiang) “ 0 ” 改變比特數，而(er)在反方向(xiang)上．除擦除芯(xin)片全部內容的(de)方法(fa)(fa)以外，再沒有(you)其他的(de)方法(fa)(fa)。

我們知道(dao)，光(guang)(guang)的能量(liang)與光(guang)(guang)的波長成反比(bi)例關(guan)系，為了讓電(dian)子成為熱(re)電(dian)子，從而具有穿(chuan)透氧化膜的能量(liang)，就(jiu)非常需要波長較(jiao)(jiao)短(duan)(duan)的光(guang)(guang)即(ji)紫外線的照(zhao)射。由于(yu)擦(ca)除時(shi)間(jian)(jian)決定于(yu)光(guang)(guang)量(liang)子的數(shu)目，因而即(ji)使(shi)(shi)在波長較(jiao)(jiao)短(duan)(duan)的情況下(xia)，也(ye)不(bu)(bu)能縮(suo)短(duan)(duan)擦(ca)除時(shi)間(jian)(jian)。一般地，當(dang)波長為 4000A （ 400nm ）左(zuo)右(you)時(shi)才開始進行擦(ca)除。在 3000A 左(zuo)右(you)基本達到飽和。低于(yu) 3000A 以后(hou)，波長即(ji)使(shi)(shi)再短(duan)(duan)，對于(yu)擦(ca)除時(shi)間(jian)(jian)也(ye)不(bu)(bu)會產生什(shen)么(me)影響(xiang)。

（晶圓(yuan)用UV燈(deng)的波譜圖(tu)）

UV擦(ca)除(chu)的標準一般(ban)為接受精(jing)準波長的 253.7nm ，強度(du) ≥16000 μ W /cm2的紫外線 30 分鐘(zhong)至3小時(shi)不等的照射時(shi)長，即可完成其擦(ca)除(chu)操作。

自從 2014 年至今(jin)，朗(lang)普(pu)成功為多家深圳晶(jing)圓加工企業提(ti)供 UV 光擦除裝置(zhi)，降低了晶(jing)圓加工成本，光強衰減小，質量穩定。隨著朗(lang)普(pu)對 UV 光擦除裝置(zhi)的不(bu)斷研(yan)究(jiu)與發展，肯定能為晶(jing)圓行業、芯片制造行業帶來(lai)更多新(xin)的希望！

朗(lang)普LOGNPRO晶圓光擦(ca)除UV裝(zhuang)置?