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晶圓硅片紅外均勻加熱

日(ri)期:2023-11-03 16:49

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這幾年我們在蘇(su)州,大連以及(ji)無(wu)錫(xi)的客戶群體,需要將8寸晶(jing)圓外表面(mian)均勻加熱(re)(re)到(dao)一定(ding)溫(wen)度,對(dui)加熱(re)(re)要求極高,以實現(xian)加熱(re)(re)后在下一工序中達到(dao)更好(hao)的效(xiao)果。

紅外線加熱具有高效、均勻、可控和非接觸的特點,適用于各種硅片的加熱需求。因此客戶選用了我們的紅外線輻射加熱器(朗普紅(hong)外(wai)線(xian)加熱(re)數據庫以(yi)及光學(xue)運(yun)算,優化(hua)了(le)熱(re)源燈(deng)絲內部發光體(ti)結構、反光板(ban)結構以(yi)及陣(zhen)列(lie)布(bu)燈(deng),使被加熱(re)表面接受(shou)均值的(de)紅(hong)線(xian)輻(fu)射能量,有效(xiao)降低了(le)溫度不均帶來(lai)的(de)不良工藝(yi)質量問題)。

客戶加熱(re)要求:

1、在直(zhi)徑φ200加熱范圍內(nei)溫(wen)度均勻性(xing)盡量高,溫(wen)度一致(zhi)性(xing)≤±6℃

2、出具加(jia)熱(re)模擬(ni)方(fang)案及熱(re)分布模擬(ni)結果報告。

3、加(jia)熱(re)(re)迅速(su),300秒內加(jia)熱(re)(re)對象(xiang),能快(kuai)速(su)升溫200至400℃。

?紅外線加熱拓撲圖.png

于是我們根據(ju)客戶需求量身定制了加熱(re)方案(an):

1,通過優化(hua)燈絲熱能分布(bu)結構,做到類矩形加熱(常規為雙尖形),減少中間聚熱,兩頭冷的不均勻熱場現象;

2,并通過朗普數據庫+光學運算,得出陣列布燈距高比;

3,通過背面弧形光學反光曲率設計(ji),進一步修正輻照場的均勻度;

4,通過電控系統和非接觸式測溫探頭,進行閉環控制,進一步減少溫度過沖或者加熱不足導致的工藝問題。

硅片加熱 (1).jpg