晶圆硅片红外均匀加热

應用案例

紫外線輻照殺菌紅外線加熱點線聚焦加熱太陽光模擬科研定制

晶圓硅片紅外均勻加熱

日(ri)期：2023-11-03 16:49

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這幾年我們在蘇(su)州，大連以及(ji)無(wu)錫(xi)的客戶群體，需要將8寸晶(jing)圓外表面(mian)均勻加熱(re)(re)到(dao)一定(ding)溫(wen)度，對(dui)加熱(re)(re)要求極高，以實現(xian)加熱(re)(re)后在下一工序中達到(dao)更好(hao)的效(xiao)果。

紅外線加熱具有高效、均勻、可控和非接觸的特點，適用于各種硅片的加熱需求。因此客戶選用了我們的紅外線輻射加熱器（朗普紅(hong)外(wai)線(xian)加熱(re)數據庫以(yi)及光學(xue)運(yun)算，優化(hua)了(le)熱(re)源燈(deng)絲內部發光體(ti)結構、反光板(ban)結構以(yi)及陣(zhen)列(lie)布(bu)燈(deng)，使被加熱(re)表面接受(shou)均值的(de)紅(hong)線(xian)輻(fu)射能量，有效(xiao)降低了(le)溫度不均帶來(lai)的(de)不良工藝(yi)質量問題）。

客戶加熱(re)要求：

1、在直(zhi)徑φ200加熱范圍內(nei)溫(wen)度均勻性(xing)盡量高，溫(wen)度一致(zhi)性(xing)≤±6℃

2、出具加(jia)熱(re)模擬(ni)方(fang)案及熱(re)分布模擬(ni)結果報告。

3、加(jia)熱(re)(re)迅速(su)，300秒內加(jia)熱(re)(re)對象(xiang)，能快(kuai)速(su)升溫200至400℃。

? 紅外線加熱拓撲圖.png