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如何解決半導體晶圓片加熱溫度分布不均勻問題?

日期:2024-08-10 10:48 瀏覽:712

晶(jing)圓(yuan),也被稱為半導(dao)體(ti)(ti)晶(jing)圓(yuan)或硅(gui)晶(jing)圓(yuan),是(shi)在半導(dao)體(ti)(ti)工業中(zhong)(zhong)廣泛應用的(de)基礎材料之一。晶(jing)圓(yuan)加熱是(shi)半導(dao)體(ti)(ti)制造(zao)過(guo)(guo)程中(zhong)(zhong)的(de)一個(ge)關(guan)鍵步(bu)驟,其目(mu)的(de)是(shi)在制備集成電路和其他半導(dao)體(ti)(ti)器件時(shi)對晶(jing)圓(yuan)進行必要的(de)熱處理(li)。這個(ge)過(guo)(guo)程中(zhong)(zhong),晶(jing)圓(yuan)通常需要被均(jun)勻(yun)加熱到(dao)特(te)定的(de)溫度,以(yi)促使或優化后續(xu)的(de)工藝(yi)步(bu)驟。

半導體硅片(晶圓)加熱.jpg


晶圓片加熱過程中要求晶圓表面的溫度分布盡可能均勻,以確保整個晶圓上的器件性能一致。不均勻的溫度分布可能導致器件性能差異,影響產品的質量。紅外線加熱具有高效、均勻、可控和非接觸的特點,適用于各種晶圓片的加熱需求。因此客戶選用了我們的紅外線輻射加熱器(LONGPRO紅外(wai)線(xian)加熱(re)數據庫以(yi)及(ji)光學運算,優(you)化(hua)了熱(re)源燈絲內(nei)部發(fa)光體結(jie)構、反光板結(jie)構以(yi)及(ji)陣列布燈,使被加熱(re)表面接受(shou)均值的紅線(xian)輻射能量(liang),有效降低了溫度不均帶來的不良工藝(yi)質(zhi)量(liang)問題)。

晶圓加熱.jpg


于是(shi)我們根據(ju)客(ke)戶需求量(liang)身(shen)定制了加(jia)熱方案:

1、優化燈(deng)絲(si)熱能(neng)分(fen)布結(jie)構: 我們(men)通過改(gai)進燈絲的(de)熱(re)能分布結構,實現了類矩形加熱(re),相較(jiao)于傳(chuan)統(tong)的(de)雙尖形加熱(re)方式,有效減(jian)少了中間(jian)區(qu)域的(de)熱(re)聚集,避免了兩(liang)端溫度(du)不均勻的(de)問題(ti)。

2、LONGPRO數據庫(ku)+光學(xue)運算: 利(li)用LONGPRO數據庫和光學運算,我們精確計算出陣列布(bu)燈的(de)距(ju)離與高(gao)度(du)比例,以確保在晶(jing)圓表面均勻分(fen)布(bu)的(de)紅(hong)外(wai)輻射能量(liang),進一步(bu)提升加熱效果。

3、背面弧形(xing)光學(xue)反光曲率設計: 我們(men)采(cai)用(yong)背面(mian)弧形光(guang)學反光(guang)曲率設(she)計,對(dui)輻照場進(jin)行修正,進(jin)一步(bu)提高了(le)整(zheng)個(ge)加(jia)熱場的均(jun)勻(yun)性,避免了(le)不均(jun)勻(yun)的輻射(she)熱場現象。

4、精確的溫(wen)度(du)控(kong)制系(xi)統:我們配備了(le)先進的電控(kong)系(xi)統和非接觸(chu)式(shi)測溫探頭,實現了(le)閉環(huan)控(kong)制(zhi)。這意味(wei)著我們能夠實時(shi)監(jian)測晶圓表面的溫度,快(kuai)速響應并(bing)調(diao)整(zheng)加熱功率,以減少(shao)溫度過(guo)沖或不足,從而有效(xiao)預(yu)防(fang)可能導致(zhi)工(gong)藝問題的溫度波動。

方案優勢

紅外線輻照均勻,精度誤差:±5%

晶圓片加熱.jpg

加熱均勻.png


通過這一系(xi)列的(de)定制化(hua)優(you)化(hua),我們確保了(le)晶圓在加(jia)熱過程中達到(dao)所需的(de)溫(wen)度(du),并在整個(ge)加(jia)熱周(zhou)期內(nei)保持了(le)高度(du)的(de)穩定性,從而提高了(le)加(jia)熱效率和(he)工藝可控性。